In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microscopy and Microanalysis Année : 2021

In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2

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Min-Han Lee
Xing Li
  • Fonction : Auteur
Lorenzo Fratino
Yimei Zhu
  • Fonction : Auteur

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Shaobo Cheng, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Marcelo Rozenberg, et al.. In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2. Microscopy and Microanalysis, 2021, 27 (S1), pp.2162-2164. ⟨10.1017/S1431927621007790⟩. ⟨hal-03323463⟩
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