In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2 - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microscopy and Microanalysis Année : 2021

In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2

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Shaobo Cheng
  • Fonction : Auteur
Brookhaven National Laboratory [Upton, NY]
Min-Han Lee
Xing Li
  • Fonction : Auteur
Lorenzo Fratino
Marcelo Rozenberg
Centre National de la Recherche Scientifique
Université Paris-Saclay
Ivan Schuller
  • Fonction : Auteur
University of California [San Diego]
Yimei Zhu
  • Fonction : Auteur

Domaines

Physique [physics] Matière Condensée [cond-mat]

Marcelo Rozenberg  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

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Soumis le : samedi 21 août 2021-15:04:21

Dernière modification le : mercredi 30 novembre 2022-11:22:07

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Shaobo Cheng, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Marcelo Rozenberg, et al.. In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2. Microscopy and Microanalysis, 2021, 27 (S1), pp.2162-2164. ⟨10.1017/S1431927621007790⟩. ⟨hal-03323463⟩

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