In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2

Shaobo Cheng; Min-Han Lee; Xing Li; Lorenzo Fratino; Marcelo Rozenberg; Ivan Schuller; yimei Zhu

doi:10.1017/S1431927621007790

Article dans une revue

In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2

Shaobo Cheng ¹ Min-Han Lee Xing Li Lorenzo Fratino Marcelo Rozenberg ^{2, 3} Ivan Schuller ⁴ yimei Zhu

1 BNL - Brookhaven National Laboratory [Upton, NY]

2 CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique

3 Université Paris-Saclay

4 UC San Diego - University of California [San Diego]

Type de document :

Article dans une revue

Domaine :

Physique [physics] / Matière Condensée [cond-mat]

Liste complète des métadonnées

https://hal-enpc.archives-ouvertes.fr/hal-03323463
Contributeur : Marcelo Rozenberg Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : samedi 21 août 2021 - 15:04:21
Dernière modification le : dimanche 26 juin 2022 - 03:12:02

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