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Article dans une revue
In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2
1
BNL - Brookhaven National Laboratory [Upton, NY] (Brookhaven Avenue, Upton, NY 11973 - États-Unis)
- DOE - U.S. Department of Energy [Washington] (1000 Independence Ave. SW, Washington DC 20585 - États-Unis)
- UT-Battelle, LLC (1201 Oak Ridge Turnpike, Suite 100, Oak Ridge, TN 37830 - États-Unis)
- SBU - Stony Brook University [SUNY] (100 Nicolls Road, Stony Brook, NY 11794 - États-Unis)
- SUNY - State University of New York (États-Unis)
3
Université Paris-Saclay (Bâtiment Bréguet, 3 Rue Joliot Curie 2e ét, 91190 Gif-sur-Yvette - France)
4
UC San Diego - University of California [San Diego] (9500 Gilman Dr., La Jolla, CA 92093 USA - États-Unis)
- University of California (États-Unis)
Type de document :
Article dans une revue
Domaine :
Liste complète des métadonnées
https://hal-enpc.archives-ouvertes.fr/hal-03323463
Contributeur : Marcelo Rozenberg Connectez-vous pour contacter le contributeur
Soumis le : samedi 21 août 2021 - 15:04:21
Dernière modification le : mardi 4 janvier 2022 - 06:38:15
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Lien texte intégral
Identifiants
- HAL Id : hal-03323463, version 1
- DOI : 10.1017/S1431927621007790
Citation
Shaobo Cheng, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Marcelo Rozenberg, et al.. In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2. Microscopy and Microanalysis, Cambridge University Press (CUP), 2021, 27 (S1), pp.2162-2164. ⟨10.1017/S1431927621007790⟩. ⟨hal-03323463⟩
Métriques
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