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In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2

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https://hal-enpc.archives-ouvertes.fr/hal-03323463
Contributeur : Marcelo Rozenberg <>
Soumis le : samedi 21 août 2021 - 15:04:21
Dernière modification le : lundi 23 août 2021 - 03:20:59

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Shaobo Cheng, Min-Han Lee, Xing Li, Lorenzo Fratino, Marcelo Rozenberg, et al.. In-situ electron microscopy study of non-volatile resistive switching in Mott insulator VO 2. Microscopy and Microanalysis, Cambridge University Press (CUP), 2021, 27 (S1), pp.2162-2164. ⟨10.1017/S1431927621007790⟩. ⟨hal-03323463⟩

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